在实际的半导体器件中，半导体材料不可能是无穷大的，总有一定的边界，因此表面（边界）效应对半导体器件的特性具有非常重要的影响。实际上，在多数情况下半导体器件特性是由半导体表面效应而不是体内效应决定。（如MOS）理想表面是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面(即晶体的自由表面)。当一块半导体突然被中止时，表面理想的周期性晶格发生中断，从而导致禁带中出现电子态（能级），该电子态称为表面态(Tamm state)