里德二极管（Read diode）： 这种二极管具有p+-n-i-n+型式；在反向电压下，其中p+-n结势垒中的电场最强，很容易发生雪崩倍增现象。它是重要的微波、毫米波有源器件——IMPATT二极管（碰撞电离雪崩渡越时间二极管）的一种基本结构。 二极管在工作时，外加有较大的直流反向电压（要大于器件的雪崩击穿电压），并要使得n区和i区全部耗尽（其中存在有强的电场）；雪崩区在p+-n势垒处（宽度很窄），n区和i区几乎都是载流子的漂移区；利用雪崩倍增和漂移渡越这两种过程所造成的延迟作用即可产生微波振荡。其基本结构是Read二极管的结构（见图示），即内部具有p-n-i-n型式。